河池回收电池片硅片---「多图」

用于升压级的开关和二极管

图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外，专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。

升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言，mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算，对于给定的mosfet系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时，mosfet的传导损耗会---增加，因此，即使额定rds(on) 相当，1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。

在这个逆变器设计中，+20v电源首先用来推动微型处理器，并且管理不同的电路。有关代码的实现，这个逆变器解决方案中采用的8位微型控制器pic18f1320会为igbt驱动器产生信号，由此提供用来驱动igbt的信号。以---高电压ic工艺过程 (g5 hvic)以及锁存cmos技术的栅极驱动器集成高电压转换和终端技术，使驱动器能够从微型控制器的低电压输入产生适当的栅极驱动信号。有关的逻辑输入与标准cmos或lsttl输出相容，逻辑电压可低至3.3v。

速二极管d1和d2提供路径来把电容器c2及c3充电，并且---高侧驱动器获得正确的动力。图3描绘出相关的输出波形。如图所示，在正输出半周期内，高侧igbt q1经过正弦pwm调制，但低侧q4就保持开通状况。同样地，在负输出半周期内，高侧q2经过正弦pwm调制，而低侧q3则保持开通状况。这种开关技术在输出lc滤波器之后，于电容器c4的两端提供60hz交流正弦波。