3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，太阳能拆卸组件回收，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
太阳电池的分选对组件的性能及控制起着极其重要的作用，它将不仅影响到组件的电性能输出，而且极有可能引起曲线异常和热斑现象，导致组件的早期失效。本文从测试设备的软、硬件方面着手，详细分析了影响电池分选的主要原因，并且针对每个主要原因进行实验分析、验证，提出解决方案，终发现对电池片fv曲线拟合可以有效地解决电池片分选的问题，并终通过大量的数据分析验证方案的有效性，目前这一方法已得到广泛应用。
1、根据合同要求，验收单晶硅电池片的功率及等级，例如125的---，就只要a1的，功率为2.57~2.7，再此时得问清楚电池片的功率是正公差还是负公差，选用正公差的。
2、单晶硅电池片的颜色：单晶为天蓝或蓝，与表面成35°角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀，无明显色差、水痕、手印。
3、栅线图形清晰、完整、无断线。(b片可有1~2处断线，但不可在同一条栅线上)
4、正面栅格线整洁、无漏浆;
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