单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,钽丝回收价格,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是上纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。---集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。目
前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
汽车和汽车电池的配件插座获得的12v dc转换为100v ac。
即使被称为逆变器,逆变器也具有广泛的应用范围,并且每个领域的逆变器电路与其他应用中的逆变器电路完全不同。
其应用大致可分为电动机控制、dc-ac逆变器、dc-dc转换器、放电灯镇流器等。马达控制通过变频器对交流电动机(感应电动机 / 同步电动机)进行变速/可变转矩控制- 电压/变频控制(vvvf控制)电梯、水泵、风扇、铁路车辆(火车和电力机车)、电动车辆、空调、冰箱、洗衣机等。
在传统上由直流电动机(电梯、铁路车辆等)执行变速操作的应用中,无刷电动机用于减少维护,在传统上由感应电动机执行恒定输出操作的应用中,采用细粒度输出控制结果,实现了节电并---了对控制目标的---。
用于升压级的开关和二极管
图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外,专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术,针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。
升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量,来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言,mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外,还必须始终考虑体二极管的影响:在升压级的情况下并没有什么问题,因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算,对于给定的mosfet系列,这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时,mosfet的传导损耗会---增加,因此,即使额定rds(on) 相当,1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。
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