2、扩散
扩散是为电池片制造---,是为电池片制造p-n结,pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源,液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。
pocl3在大于600℃的条件下分解生成五---(pcl5)和五氧化二磷(p2o5),pcl5对硅片表面有腐蚀作用,当有氧气o2存在时,pcl5会分解成p2o5且释放出---,所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅和磷原子,生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(psg),磷原子向硅中扩散,制得n型半导体。
八、快速烧结
经过丝网印刷后的硅片,不能直接使用,需经烧结炉快速烧结,将有机树脂粘合剂燃烧掉,剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时,晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去,从而形成上下电极的欧姆接触,提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数,使其具有电阻特性,以提高电池片的转换效率。烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉,此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应,形成电阻膜结构,使其真正具有电阻特性,该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段,玻璃冷却硬化并凝固,使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
4、pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
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