芯片的背部减薄制程
1. grinding制程:
对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好,但是移除率太低,也只能达到3um/min左右,如果全程使用lapping的话,加工就需耗时约2h,时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程,通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘,既能达到较高的移除率,又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除,因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外,有些芯片厂家为了增加芯片的亮度,在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜,此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片,但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程,以达到---的表面品质。
硅片是什么材料做的
硅是一种化学元素,它的化学符号是si,旧称矽。原子序数14,相对原子28.09,有无定形和晶体两种同素异形体,同素异形体有无定形硅和结晶硅。属于元素周期表上iva族的类金属元素。
高纯度硅在石英中提取,以单晶硅为例,提炼要经过以下过程:石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。
冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%,但半导体工业用硅还必须进行高度提纯。电子级硅的杂质含量约10^(-10)%以下。而在提纯过程中,有一项“---氢硅还原法(西门子法)”的关键技术我国还没有掌握,由于没有这项技术,我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通---气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常---。
3, 醇铝水解法即为---醇铝法。宣城有一家是用的这种方法,目前日本和美国也主要采取这种工艺生产高纯度氧化铝,产品纯度---到5个9,主要用于led蓝宝石长晶行业。这种工艺比较复杂,国内能掌握此技术的很少。和直接水解法相比,这种工艺的主要优点是:
1)高纯铝和醇类反应充分,不需要加工成粉末,拆卸组件回收电话,避免加工过程中带入fe,ti等杂质引入。
2)可以再次提纯,反应得到的---醇铝可以在230-250度下8级塔板精馏,以气态的形式收集高纯---醇铝,铁、钛、镍、锆、铅、镁等金属杂质不会气化,留在釜底。 冷凝下来的高纯---醇铝还可以再次用陶瓷膜分离,游离金属杂质钾,钠,锌等都被除去。
3)粉体在净化室内5n氮气氛围下煅烧减少了污染。
4)块体采用1000吨预压,再等静压,密度可以达到3.7。
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