对于蓝宝石基板来说，它在成为一片合格的衬底之前大约经历了从切割、粗磨、精磨、以及抛光几道工序。以2英寸蓝宝石为例：
1. 切割：切割是从蓝宝石晶棒通过线切割机切割成厚度在500um左右的。在这项制程中，金刚石线锯是主要的耗材，目前主要来自日本、韩国与---。
2. 粗抛：切割之后的蓝宝石表面非常粗糙，需要进行粗抛以修复较深的刮伤，---整体的平坦度。这一步主要采用50~80um的b4c加coolant进行研磨，研磨之后表面粗糙度ra大约在1um左右。
3. 精抛：接下来是较精细的加工，因为直接关系到后成品的良率与品质。目前标准化的2英寸蓝宝石基板的厚度为430um，因此精抛的总去除量约在30um左右。考虑到移除率与后的表面粗糙度ra，这一步主要以多晶钻石液配合树脂锡盘以lapping的方式进行加工。
5 测试结果与分析
为验证光伏组件户外测试平台性能，利用4块亿晶公司生产的eg50w 组件，组成2×2阵列，代替目前市场上常见的200w 组件。于2013年3月19日进行了实验，天气为阴天，太阳辐照度在200w/m2 附近波动，组件温度约19℃，户外测试平台每隔5s对光伏组件进行1次iv特性曲线扫描。为便于和传统iv 曲线扫描方法对照，依次控制本户外测试平台的可编程电子负载工作于传统的恒流模式、恒压模式和本文提出的可自动切换工作模式下，采用3种方法分别对光伏组件的iv 特性曲线扫描。
按硅片直径划分：
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已发展到18英寸（450mm）等规格。直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。因此，直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大，对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分：
直拉法制各的单晶硅，称为cz硅（片）;磁控直拉法制各的单晶硅，称为mcz硅（片）;悬浮区熔法制各的单晶硅，称为fz硅（片）;用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层，称为外延（硅片）。
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