4、pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
低温多晶硅的工作原理是什么?
低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源,雷射光经过投射系统---,会产生能量均匀分布的雷射光束,投射于非晶矽结构的玻璃基板上,当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后,会转变成为多晶硅结构,因整个处理过程都是在600℃以下完成,所以一般玻璃基板皆可适用。
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二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向---腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向---腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有---,氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的---稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如---和---醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须---行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。
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