硅片的工艺
面临挑战：
切割线直径
更细的切割线意味着---的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。
荷载
每次切割的总面积，等于硅片面积x每次切割的硅块数量x每个硅块所切割成的硅片数量。
切割速度
切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。
易于维护性
线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。
生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。
4， 焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度---，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，fe，ti，cr，废旧太阳能板电池板回收，mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质---作用。
由于单个mosfet可耗散的功率有限，因此选用了8路mosfet并联的结构，对光伏组件的输出电流分流，并将8个mosfet均匀固定在散热片上，避个mosfet因功率过大而烧毁。对各个mosfet分别采用上述的子控制电路，使得各mosfet 工作状态大致相同，减小不同mosfet工作温度差。后将8路差分放大的电流信号通过加法电路叠加成总电流信号，采用---反馈电路使总电流信号与dac模块给定的控制信号比较，同时将输出信号接入各mosfet控制电路中，形成---反馈控制。
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