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用于升压级的开关和二极管

图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外，专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术，返修发电板光伏板价格，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。

升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言，mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算，对于给定的mosfet系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时，mosfet的传导损耗会---增加，因此，即使额定rds(on) 相当，1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。

变频器维护 

由于逆变器仅由固态电路元件，它可能被误认为是如果设备免维护但是，在实践中，尤其是在结合转换器和逆变器，转换器的平滑装置的电解电容器是使用寿命有限的部件，随着时间的推移无法避免，将需要更换。在由于故障而导致长期停止的应用中，作为预防性维护，优选以约5至10年的间隔定期更换电解电容器。近年来，具有较小容量的逆变器，例如用于电动机的逆变器，近年来已经减小了尺寸，并且元件通常被风扇强制冷却。因此，期望以2-4年的间隔定期更换风扇。