用于桥接和开关和二极管
mosfet全桥滤波之后，输出桥产生一个50hz的正弦电压及电流信号。一种常见的实现方案是采用标准全桥结构 (图2)。图中若左上方和右下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个正电压;右上方和左下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个负电压。对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到pwm高频下，另一开关则在50hz低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到pwm高频下，而器件被切换到50hz低频下。这应用采用了600v的功率开关，故600v超结mosfet非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超结器件如600v fch47n60f是十分理想的选择。它的rds(on) 为73毫欧，相比其它同类的快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50hz下进行转换时，无需使用快速恢复特性。这些器件具有---的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结mosfet可提高系统的---性。
太阳能电池板的输出不同于一般直流供电设备的输出，其输出i-v特性曲线与光照、温度等环境因素密切相关，工作点的电压电流值在曲线上随负载的变化而变化。为太阳能电池板的输出功率，逆变器往往还需要具有峰值功率功能，---工作点始终处于i-v曲线上的大功率点附近。对逆变器进行设计、开发与的关键是要在不同的环境条件下(即不同的i-v曲线上) 测试验证逆变器的输入输出特性。
测试的主要内容包括：开发和验证逆变器峰值功率---电路(mppt)算法的性能;
测量和验证逆变器的效率;
验证逆变器在---和极低输入电压条件下产生的电网电平输出的稳定性;
性能测试： 确认不同环境条件下的输出性能;
性能加速寿命测试：仅用几周时间来推算工作数年后的结果;
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
irfz48n为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。irfz48n的主要参数指标为：vdss=55v，id=66a，ptot=140w，tj=175℃，rds(on)≤16mω 。
当irfz48n损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n沟道增强型mos开关管irf3205进行代换。irf3205的主要参数为vdss=55v，id=110a，rds(on)≤8mω。其市场售价仅为每只3元左右。
irf740a为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。
irf740a的主要参数指标为：vdss=400v ，id=10a，ptot=120w ，rds(on)≤550mω。
当irf740a损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n 沟道增强型mos 开关管irf740b、irf740或irf730进行代换。irf740、irf740b的主要参数与irf740a完全相同。irf730的主要参数为vdss=400v，id=5.5a，rds(on)≤1ω。其中irf730的参数虽然与irf740系列的相比略差，但对于150w以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。
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