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测试流程制定

6）再次同步测量环境中太阳辐照度、组件温度及环境气温，---在iv特性曲线测量期间，辐照度和温度并未发生突变；

7）根据测量数据，计算iv特性曲线上大功率点，填充系数等特征参数，将所有数据打包，存储于sd卡内，本次iv特性曲线扫描结束。

当1组数据测量完成，平台可根据用户设定，控制光伏组件工作于开路、短路或大功率等状态，直到下1次测量开始，可检测光伏组件长期处于特定状态工作性能。

为避免环境辐照度或温度变化对所测iv特性曲线的影响，使所测曲线光滑，能否快速的扫描iv特性曲线---。在上述测量流程中，ad转换器对光伏组件iv特性曲线上每个点同步测量时间约80μs，测量一组iv特性曲线数据需用时约22ms，一般而言，该测量时间内几乎不会出现环境辐照度或温度突变的状况。

在所测数据存入sd卡之后，dsp同时将测量数据封装为udp包，通过以太网模块，经由测试平台路由器，发送位机，上位机在接收到每个udp包后，都给予接收应答。基于vb.net编程技术，设计了上位机监控程序，它与dsp通信，并将数据存储于sqlserver数据库内，便于用户对组件户外长期工作性能分析和评估。

芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，回收银浆公司，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。