硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着---的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展,使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和,甚至悄悄进入每一个家庭。
地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入---市场(massmarket)的产品而言,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
4, 焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产,经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下,当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化,熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的,国内现在很多人士尤其是迷恋它,看上去透明无色以为纯度---,其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体,不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度,fe,ti,cr,mg等元素的熔化温度已经在2200度左右,这些技术杂质气化温度要到达4000度以上,这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化,他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质,如镁,钙等,但对里层的杂质---作用。
3, 醇铝水解法即为---醇铝法。宣城有一家是用的这种方法,目前日本和美国也主要采取这种工艺生产高纯度氧化铝,产品纯度---到5个9,主要用于led蓝宝石长晶行业。这种工艺比较复杂,国内能掌握此技术的很少。和直接水解法相比,这种工艺的主要优点是:
1)高纯铝和醇类反应充分,不需要加工成粉末,太阳能降级组件回收,避免加工过程中带入fe,ti等杂质引入。
2)可以再次提纯,反应得到的---醇铝可以在230-250度下8级塔板精馏,以气态的形式收集高纯---醇铝,铁、钛、镍、锆、铅、镁等金属杂质不会气化,留在釜底。 冷凝下来的高纯---醇铝还可以再次用陶瓷膜分离,游离金属杂质钾,钠,锌等都被除去。
3)粉体在净化室内5n氮气氛围下煅烧减少了污染。
4)块体采用1000吨预压,再等静压,密度可以达到3.7。
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