光伏组件残值回收-延边光伏组件-振鑫焱光伏科技

太阳能发电控制逆变器设计

mcu

样机选用的c8051f330是一款完全集成的混合信号片上系统型mcu，内置高速流水线结构的cip一51内核、768字节片内ram和8kb可在系统编程的flash存储器、17个i／o端口、带模拟多路器的16通道单端或差分输人10位adc、温度传感器、---可编程的25mhz内部振荡器、4个通用的16位定时器、可编程计数器／定时器阵列（pca）及其他数字资源。因此，这款芯片可完全满足控制一逆变器的要求。

c8051f330除了具有丰富的数字资源外，还有两个非常有用的特点。一个是siliconlabs二线（c2）开发接口，它允许使用安装在应用系统上的产品mcu进行非侵入式（不占用片内资源）、全速、在系统调试。另一个是优先权交叉开关---，它按照预先设定的优先权，灵活地给片内各数字资源分配端口引脚。此外，c8051系列的芯片与8051完全兼容，因此可以很方便地进行开发和应用。

薄膜电容器与铝电容器的设计要点

当需要在两种技术中间进行选择时，性能并不是全部考虑因素，元件的尺寸也很重要，价格也是一个因素。要始终牢记的是薄膜电容器和铝电容器如何达到预期的效果？

铝电容器的空间效率肯定比薄膜电容器要高。一个470 μf/450 v铝电容器的体积只有一个470 μf/450 v薄膜电容器的15%。

另一方面，铝电容器的寿命有限，损耗。对于一个要求能工作20年或高功率等级的太阳能逆变器，薄膜电容器因其具有---的损耗和寿命，是---的选择。

仅就元件成本而言，铝电容器占有优势，同样是470 μf/450 v，薄膜电容器的成本是相对应的铝电容器的5倍甚至更多。然而，铝电容器一般需要额外的保护电路。相反，薄膜电容器几乎不需要用来防止发生故障的---元件。尤其是高功率等级的太阳能逆变器，能够处理---问题的电容器是---选择，因为这样有助于---降低成本，例如不需要用水来冷却元器件。