硅片清洁分类
2.化学清洗
化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、---、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。
示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂h2o2、nh4oh、hcl能够完全挥发掉。用h2so4和h2o2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用h2o2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。
4， 焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度---，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，fe,ti,cr，mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质---作用。
电路板上的字母都代表什么意思，很多小白用户应该还不清楚吧，那么小编为大家---一下：
u一般代表集成电路，也有ic表示的
v代表晶体管，二极管三极管之类
r代表电阻
c代表电容
l代表电感
j代表插座
tp代表检测点
f表示保险。举例说明。比如r代表电阻器、q表示三级管等，表示电路功能编号。
r117：发光二极管
lamp，c代表电容器；第三，d表示二极管，四位表示该器件在该电路板上同类器件的序号；第二个是数字，如“1”表示主板电路电路板上的各类符号的意思：主板上的电阻，一般情况下，个字母标识器件类别：主板上的变压器，“2”表示电源电路等等：晶体三极管：发射极，这是由电路设计者自行确定的，序号为17,c)。
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