昌都地区电子芯片回收服务介绍

沟道和平面igbt

为了要同时把谐波和功率损耗降到低，逆变器的高侧igbt利用了脉宽调制(pwm)，同时低侧功率器件就用60hz进行变化。通过把pwm频率定在20khz或以上操作，高侧igbt有50/60hz调制，输出电感器l1和l2便可以保持实际可行的较少尺寸，提供有效的谐波滤波。再者，逆变器的可听声也可以降到低，因为开关频率已经高于人类的听觉范围。

我们研究过采用不同igbt组合的各种开关技术后，认定能够实现低功率耗损和高逆变器性能的组合，是高侧晶体管利用速沟道igbt，电子芯片回收，而低侧部分就采用标准速度的平面器件。与快速和标准速度平面器件比较，开关频率在20khz的速沟道igbt提供低的总通态和开关功率损耗组合。高侧晶体管的开关频率为20khz的另外一个优点，是输出电感器有合理的小尺寸，同时也容易进行滤波。在低侧方面，我们把标准速度平面igbt的开关频率定在60hz，使功率损耗可以保持在低的水平。

  mcu软件设计

2.1 主要功能的实现方案

（1）蓄电池充电控制充电mosfet的栅极由mcu的一个i／o口控制。当蓄电池电压低于直充阈值时，mcu跳过pca，直接输出一个高电平信号打开充电mosfet，使太阳板不间断地向蓄电池充电。蓄电池电压超过后，mcu接人pca，改为pwm方式充电。充电的脉宽随着蓄电池电压的升高而逐渐变窄。达到充电上限后，再次跳过pca，输出一个低电平，完全关断充电。

（2）直流输出控制直流输出mosfet也由mcu的一个i／o口控制。蓄电池的电压低于欠压阈值时，mcu输出关断信号，停止放电。高于恢复阈值时，输出开启信号。