振鑫焱硅业-免费回收库存电池片硅片

多晶硅的技术特征　　

⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。

⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。

　用于桥接和开关和二极管

mosfet全桥滤波之后，输出桥产生一个50hz的正弦电压及电流信号。一种常见的实现方案是采用标准全桥结构 (图2)。图中若左上方和右下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个正电压;右上方和左下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个负电压。对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到pwm高频下，另一开关则在50hz低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到pwm高频下，而器件被切换到50hz低频下。这应用采用了600v的功率开关，故600v超结mosfet非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超结器件如600v fch47n60f是十分理想的选择。它的rds(on) 为73毫欧，相比其它同类的快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50hz下进行转换时，无需使用快速恢复特性。这些器件具有---的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结mosfet可提高系统的---性。