五、等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，ic级别的纯度要求达到9n以上（99.9999999%），回收采购收购电池片价格，区熔单晶硅片甚至达到11n（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（cz）和区熔法（fz）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
4、pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
4. 形成“隐裂”的原因
外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
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