按硅片直径划分:
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分:
直拉法制各的单晶硅,称为cz硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为mcz硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为fz硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。
测试流程制定
6)再次同步测量环境中太阳辐照度、组件温度及环境气温,---在iv特性曲线测量期间,回收多晶硅单晶硅电池片硅片价格,辐照度和温度并未发生突变;
7)根据测量数据,计算iv特性曲线上大功率点,填充系数等特征参数,将所有数据打包,存储于sd卡内,本次iv特性曲线扫描结束。
当1组数据测量完成,平台可根据用户设定,控制光伏组件工作于开路、短路或大功率等状态,直到下1次测量开始,可检测光伏组件长期处于特定状态工作性能。
为避免环境辐照度或温度变化对所测iv特性曲线的影响,使所测曲线光滑,能否快速的扫描iv特性曲线---。在上述测量流程中,ad转换器对光伏组件iv特性曲线上每个点同步测量时间约80μs,测量一组iv特性曲线数据需用时约22ms,一般而言,该测量时间内几乎不会出现环境辐照度或温度突变的状况。
在所测数据存入sd卡之后,dsp同时将测量数据封装为udp包,台州电池片硅片价格,通过以太网模块,经由测试平台路由器,发送位机,上位机在接收到每个udp包后,都给予接收应答。基于vb.net编程技术,设计了上位机监控程序,它与dsp通信,并将数据存储于sqlserver数据库内,回收电站返修电池片硅片价格,便于用户对组件户外长期工作性能分析和评估。
由于单个mosfet可耗散的功率有限,因此选用了8路mosfet并联的结构,对光伏组件的输出电流分流,并将8个mosfet均匀固定在散热片上,避个mosfet因功率过大而烧毁。对各个mosfet分别采用上述的子控制电路,使得各mosfet 工作状态大致相同,减小不同mosfet工作温度差。后将8路差分放大的电流信号通过加法电路叠加成总电流信号,采用---反馈电路使总电流信号与dac模块给定的控制信号比较,同时将输出信号接入各mosfet控制电路中,形成---反馈控制。
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