芯片的背部减薄制程
磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片,外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后,还需要切割成一粒粒的芯片,根据芯片的大小,一片2英寸的外延片可以切割成为数千万个chip。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近,由于蓝宝石的硬度以及脆性,普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近,然后再使用镭射进行切割。
2, 直接水解法即为法,法是目前国内规模大的4n级氧化铝生产方法。目前河北,广州有厂家用的是这种方法。只能做工业宝石和低端蓝宝石。这种工艺的主要缺陷在于无法再次提纯,原料是什么级别,做出来的氧化铝,就是什么级别,不可能---原料水平。而且在水解过程中,为了增加反应接触面积,需要把铝材加工成片料或者粉料,这个过程中容易带进fe,ti、ni、zr等杂质。而这两种杂质含量多少对蓝宝石的品质影响非常大。
生产蓝宝石晶体主要消耗的原料为5n高纯氧化体,块体 。目前国内生产高纯氧化铝的主流技术有三种:多重结晶法、醇盐水解法、直接水解法。1, 多重结晶法具体又分为硫酸铝铵热解法和碳酸铝铵热解法。目前国内山东,上海,贵州等地的厂家,多数采取这种方法。它的缺点就是金属铁、镍、钛、锆等离子以及卤素元素难以去除,拆卸光伏板,纯度可以达到4n,基本已经---了,实际是3个9;从纯度上说,它的缺陷挺大,一般只能用在焰熔法宝石上,要直接拿来做大尺寸蓝宝石晶体原料就很难。无法满足要求。
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