芯片的背部减薄制程
1. grinding制程：
对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，组件回收采购收购，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，电站拆卸组件回收采购收购，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。
按硅片直径划分：
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），返修组件回收采购收购，目前已发展到18英寸（450mm）等规格。直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。因此，直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大，对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分：
直拉法制各的单晶硅，客退组件回收采购收购，称为cz硅（片）;磁控直拉法制各的单晶硅，称为mcz硅（片）;悬浮区熔法制各的单晶硅，称为fz硅（片）;用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层，称为外延（硅片）。
按层数分类编辑 ---根据电路层数分类：分为单面板、双面板和多层板。常见的多层板一般为4层板或6层板，复杂的多层板可达几十层。pcb板有以下三种主要的划分类型： 单面板单面板单面板（single-sided boards） 在基本的pcb上，零件集中在其中一面，导线则集中在另一面上（有贴片元件时和导线为同一面，插件器件在另一面）。因为导线只出现在其中一面，所以这种pcb叫作单面板（single-sided）。因为单面板在设计线路上有许多严格的---（因为只有一面，布线间不能交叉而必须绕独自的路径），所以只有早期的电路才使用这类的板子。
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