多晶硅生产的原料是---氢硅和氢气,按照一定的比例计入还原炉内进行热分解和还原反应产生多晶硅棒。
---氢硅是用---和工业硅粉在合成炉内反应生成,---是用氢气和---在---合成炉内燃烧生成,---是---工业盐水通过通电反应生成,氢气即可以用---工业盐水通过通电反应生成。也可以用水通电电解生产。工业硅粉是用石英矿与碳在通电的情况下还原反应生成工业硅块,降级太阳能板电池板回收收购采购,经粉碎变成工业硅粉。
低温多晶硅的工作原理是什么?
低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源,雷射光经过投射系统---,会产生能量均匀分布的雷射光束,七台河太阳能板电池板回收收购采购,投射于非晶矽结构的玻璃基板上,当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后,实验太阳能板电池板回收收购采购,会转变成为多晶硅结构,因整个处理过程都是在600℃以下完成,所以一般玻璃基板皆可适用。
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3、刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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