2 电路板清洗技术
半水清洗技术
半水清洗主要采用---和去离子水,再加上一定量的活性剂、添加剂所组成的清洗剂。该类清洗介于溶剂清洗和水清洗之间。这些清洗剂都属于---,属于可燃性溶剂,闪点比较高,毒性比较低,使用上比较安全,但是须用水进行漂洗,然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂,既降低了可燃性,又可使漂洗更为容易。半水清洗工艺特点是:
1) 清洗能力比较强,能同时除去极性污染物和非极性污染物,洗净能力---性较强;
2) 清洗和漂洗使用两种不同性质的介质,漂洗一般采用纯水;
3) 漂洗后要进行干燥。
该技术不足之处在于废液和废水处理是一个较为复杂和尚待解决的问题。
6、烧结
烧结是把印刷到电池片表面的电极在高温下烧结,使电极和硅片本身形成欧姆接触,提高电池片的开路电压和填充因子,使电极的接触具有电阻特性以达到高转效率,烧结过程中也可利于pecvd工艺所引入-h向体内扩散,可以起到---的体钝化作用。
烧结方式:高温快速烧结,加热方式:红外线加热
烧结是集扩散、流动和物理化学反应综合作用的一个过程,正面ag穿过sinh扩散进硅但不可到达p-n面,背面ag、al扩散进硅,由于需要形成合金需要到一定的温度,ag、al与si形成合金的稳定又不同,测试---组件多少钱,就需要设定不同的温度来分别实现合金化。
3、刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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