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硅片清洁分类

2.化学清洗　　

化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、---、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂h2o2、nh4oh、hcl能够完全挥发掉。用h2so4和h2o2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用h2o2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。

硅片的工艺　　

面临挑战：　　

切割线直径　　

更细的切割线意味着---的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。

荷载

每次切割的总面积，等于硅片面积x每次切割的硅块数量x每个硅块所切割成的硅片数量。

切割速度

切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。

易于维护性

线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。

生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。