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速沟道igbt也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的---性，这些功率器件也经过100%钳位电感负载测试。

与高侧不同，通态耗损支配了低侧igbt。因为低侧晶体管的工作频率只有60hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面igbt是---为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60hz进行开关，这些igbt要通过采用标准速度平面igbt来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面igbt的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度igbt irg4bc20sd因此成为低功率器件的选择。一个---igbt与速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1khz)进行优化。在10a下的典型vce(on)为1.4v。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧igbt的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到低。

严格来说，将直流电转换为交流电的设备或设备的一部分称为逆变器。这种类型的逆变器是用于电池电源的交流转换器和用于直流电铁路的逆变器。另一方面，在日本，为了获得具有不同数量的相、频率、电压等的ac，将商用电力的单相ac或三相ac 通过整流器一次转换为dc ，然后再次转换为ac。整流器（转换器）和逆变器（严格---来说）以及封装在同一包装中的整个功率转换器的组合通常称为逆变器（例如工业逆变器）。