钽电容回收-呼和浩特钽电容-振鑫焱估价

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    2023-6-19

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隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

1. 什么是“隐裂”

隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷,呼和浩特钽电容,通俗的讲,就是一些肉眼不可见的细微(micro-crack)。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性,十分容易发生。

在晶体硅组件生产的工艺流程中,许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的---原因,可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本,晶硅电池片向越来越薄的方向发展,废钽电容回收,降低了电池片防止机械破坏的能力,批量钽电容回收,更容易产生隐裂。



太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。


一、硅片检测

硅片是太阳能电池片的载体,硅片的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,钽电容回收,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、p/n型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。




3、刻蚀

在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。



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