用于升压级的开关和二极管
图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外,专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术,针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。
升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量,来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言,mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外,还必须始终考虑体二极管的影响:在升压级的情况下并没有什么问题,因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算,对于给定的mosfet系列,回收电池片硅片多少钱,这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时,mosfet的传导损耗会---增加,因此,即使额定rds(on) 相当,1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。
多晶硅生产流程
(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅, 其化学反应sio2+c***si+co2↑
(2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---(hcl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的(sihcl3)。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度,该反应是放热的。同时形成气态混合物(н2,回收太阳能光伏电池片硅片多少钱,нс1,siнс13,sic14,si)。
(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝siнс13,sic14,而气态н2,нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13,sic14,净化(多级精馏)。
(4)净化后的采用高温还原工艺,以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。
多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒(直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根),银川电池片硅片多少钱,在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应,并生成多晶硅。剩余部分同н2,нс1,siнс13,sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
任何事物都有其两面性,太阳能光伏发电虽然具有上述的诸多优点,但是也有其缺点:
1、地理分布、季节变化、昼夜交替会---影响其发电量,当没有太阳的时候就不能发电或者发电量很小,这就会影响用电设备的正常使用;
2、能量的密度低,回收电站返修电池片硅片多少钱,当---使用的时候,占用的面积会比较大,而且会受到太阳辐射强度的影响;
3、光伏系统的造价还比较高,系统成本40000~60000元/kw,初始投资高---制约了其广泛应用;
4、年发电时数较低,平均1300h;
5、预测系统发电量比较困难。
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