3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
电池片工艺流程 制绒（inte）--扩散（1dif）---后清洗（刻边/去psg）----镀减反射膜pecvd----丝网、烧结。（printer）---测试、分选（tester+sorer----包装（packing）。
1、制绒
制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，回收抵债返修电池片价格，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。
工艺流程：制绒槽***水洗***碱洗***水洗***酸洗***水洗***吹干。
一般情况下，硅与hf、hno3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。
电路板清洗技术
3、 免清洗技术
在焊接过程中采用免清洗助焊剂或免清洗焊膏，焊接后直接进入下道工序不再清洗，
免清洗技术是目前使用多的一种替代技术，尤其是移动通信产品基本上都是采用免洗方法来替代ods。目前---已经开发出很多种免洗焊剂，国内如北京晶英公司的免清洗焊剂。
免清洗焊剂大致可分为三类：
1） 松香型焊剂：再流焊接使用（rma），可免洗。
2） 水溶型焊剂：焊后用水清洗。
3） 低固态含量助焊剂：免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本
和污染少的优点。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用，是20 世纪末电子产业的一大特点。取代cfcs 的途径是实现免清洗。
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