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用于升压级的开关和二极管

图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外，专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。

升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言，mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算，对于给定的mosfet系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时，mosfet的传导损耗会---增加，因此，即使额定rds(on) 相当，1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。

太阳能电池板的输出不同于一般直流供电设备的输出，其输出i-v特性曲线与光照、温度等环境因素密切相关，工作点的电压电流值在曲线上随负载的变化而变化。为太阳能电池板的输出功率，逆变器往往还需要具有峰值功率功能，---工作点始终处于i-v曲线上的大功率点附近。对逆变器进行设计、开发与的关键是要在不同的环境条件下(即不同的i-v曲线上) 测试验证逆变器的输入输出特性。

测试的主要内容包括：开发和验证逆变器峰值功率---电路(mppt)算法的性能;

测量和验证逆变器的效率;

验证逆变器在---和极低输入电压条件下产生的电网电平输出的稳定性;

性能测试： 确认不同环境条件下的输出性能;

性能加速寿命测试：仅用几周时间来推算工作数年后的结果;