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多晶硅的技术特征　　

⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。

⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。

当电路工作异常，mos功率管vt2或vt4的温升大幅提高，热敏电阻rt的阻值超过约4kω时，ic1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平，ic1的3脚也随即翻转为高电平状态，致使芯片内部的pwm 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转，输出级三极管vt1和三极管vt2均转为截止状态。当ic1内的两只功率输出管截止时，图1电路中的vt1、vt3将因基---低电平而饱和导通，vt1、vt3导通后，功率管vt2和vt4将因栅极无正偏压而处于截止状态，逆变电源电路停止工作。

ic1的1脚---电路的vdz1、r5、vd1、c2、r6构成12v输入电源过压保护电路，稳压管vdz1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值，vd1、c2、r6还组成保护状态维持电路，只要发生瞬间的输入电源过压现象，保护电路就会启动并维持一段时间，以---后级功率输出管的安全。考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小，通常将稳压管vdz1的稳压值选为15v或16v较为合适。