多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
图1电路中的主要器件有驱动管ss8550、ksp44，mos功率开关管irfz48n、irf740a，快恢复整流二极管her306以及pwm 控制芯片tl494cn (或ka7500c)。
ss8550为to-92形式封装的pnp型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极e、2为基极b、3为集电极c。
ss8550的主要参数指标为：bvcbo=-40v，bvceo=-25v，vce(s)=-0.28v， vbe(on)=-0.66v ，ft=200mhz，icm=1.5a，pcm=1w，tj= 150℃ ，hfe=85～160(b)、120～200(c)、160～300(d)。
与to-92形式封装的ss8550相对应的表贴器件型号为s8550lt1，其封装形式为sot-23。
ss8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。
ksp44为to-92形式封装的npn型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极e、2为基极b、3为集电极c。
ksp44的主要参数指标为：bvcbo=500v ，bvceo=400v，vce(s)=0.5v ，vbe(on)=0.75v ，icm=300ma ，pcm=0.625w ，tj=150℃，hfe=40～200。
ic1的5脚外接电容c4(472)和6脚外接电阻r7(4k3)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (0.0047×4.3)khz≈50khz。即电路中的三极管vt1、vt2、vt3、vt4、变压器t1的工作频率均为50khz左右，因此t1应选用高频铁氧体磁芯变压器，变压器t1的作用是将12v脉冲升压为220v的脉冲，其初级匝数为20×2，次级匝数为380。
ic2的5脚外接电容c8(104)和6脚外接电阻r14(220k)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (c8×r14)=1.1÷(0.1×220)khz≈50hz。
r29、r30、r27、c11、vdz2组成xac插座220v输出端的过压保护电路，当输出电压过高时将导致稳压管vdz2击穿，使ic2的4脚对地电压上升，芯片ic2内的保护电路动作，切断输出。
车载逆变器电路中的mos管vt2、vt4有一定的功耗，必须加装散热片，其他器件均不需要安装散热片。当车载逆变器产品持续应用于功率较大的场合时，需在其内部加装12v小风扇以帮助散热。
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