二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向---腐蚀，组件回收价格多少，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向---腐蚀液通常用热的碱性溶液，回收拆卸组件，可用的碱有---，氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的---稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如---和---醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须---行初步表面腐蚀，太阳能降级组件回收，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
九、---设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等---设施。消防和设备对于---安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50mw能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800kw左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到电子级水gb/t11446.1-1997中ew-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300m3/h左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如---的安全因素，还需要单独设置一个特气间，香港组件回收，以---生产安全。另外，---燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的---设施。
3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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