按硅片直径划分:
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分:
直拉法制各的单晶硅,称为cz硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为mcz硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为fz硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。
户外测试平台设计方案
2.2 光伏组件户外性能测试平台设计方案
针对上述光伏组件户外测试要求,建立了如图1所示的框图。利用dsp作为主控制器,通过dac模块控制电子负载等效阻值,使得光伏组件工作于相应工作点,再由dsp自带的12位a/d转换器对负载电压和电流采样。选用了较高线性度的pt100铂热电阻作为温度传感器,测量光伏组件背板温度,同时利用硅电池片辐照度传感器,与被测组件共面安装,测量光伏组件吸收的辐照能量。此外,与上位机之间建立了无线局域网,它由测试平台的以太网模块,测试平台路由器,上位机路由器和上位机网络端口组成,使上位机对测试平台远程监控与接收数据。户外测试平台同时还具备了sd卡存储模块,以临时存放近几周的测量数据,实现数据备份。
第三种产生光伏组件pid效应的原因是:光伏组件的边缘部分容易有水气进入,eva发生水解后会生成---,---和玻璃中的na反应,可以生成大量的自由移动的na离子,会与电池片表面的银栅线发生反应,从而腐蚀电池栅线,导致串联电阻的升高,导致组件性能衰减,此类衰减不可恢复。
可知,光伏组件pid效应形成的原因主要有两类:
1.原pn结电场情况改变,或存在其它的电流通道,废旧太阳能板回收,造成实际流过pn结的光生电流减小;
2.器件受到离子迁移的影响,材料性能发生了不可恢复的变化,和原始制造出的组件相比,输出功率变小。
目前,根据光伏组件pid效应产生原因,尽管可分别从电池、组件和系统端减弱或避免pid,但pid效应的影响终还是体现在电池片上。因此,建议电池厂家对产品进行更的研究,上下游结合,整体考虑高的解决方案。
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