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车载逆变器产品的主要元器件参数及代换

图1电路中的主要器件有驱动管ss8550、ksp44，mos功率开关管irfz48n、irf740a，快恢复整流二极管her306以及pwm 控制芯片tl494cn (或ka7500c)。

ss8550为to-92形式封装的pnp型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极e、2为基极b、3为集电极c。

ss8550的主要参数指标为：bvcbo=-40v，bvceo=-25v，vce(s)=-0.28v， vbe(on)=-0.66v ，ft=200mhz，icm=1.5a，pcm=1w，tj= 150℃ ，hfe=85～160(b)、120～200(c)、160～300(d)。

与to-92形式封装的ss8550相对应的表贴器件型号为s8550lt1，其封装形式为sot-23。

ss8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。

ksp44为to-92形式封装的npn型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极e、2为基极b、3为集电极c。

ksp44的主要参数指标为：bvcbo=500v ，bvceo=400v，vce(s)=0.5v ，vbe(on)=0.75v ，icm=300ma ，pcm=0.625w ，tj=150℃，hfe=40～200。

用于升压级的开关和二极管

图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外，专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。

升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言，mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算，客退发电板光伏板多少钱，对于给定的mosfet系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时，mosfet的传导损耗会---增加，因此，即使额定rds(on) 相当，1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。