3、刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,电站拆卸发电板光伏板,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体sih4和nh3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石,它是先通过拉单晶制作成硅棒,然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,
化电路板包括电路板主体、电子元件及连接部,电路板主体与连接部相连,连接部表面设有金属薄片,金属薄片上设有金属点,电路板主体背部设有加强板,电路板主体内部设有铜锡层。该电路板化性强,且利用金属点来与外部电子元件电连接,因此不必---金属薄片氧化的问题,同时还可根据实际情况选择电路板的薄厚程度,灵活实用,另外化电路板还实现了把铜锡层设置在基材内部,使其方便连接电容。
随着电子科技的不断进步,大部分电子产品均包含有电路板,其上设置有许多电子零件,用以达成电子控制功能。但是目前所使用的电路板在化及灵活运用上有所欠缺,同时不能---的与外部电子元件进行接触,另外没有实现将电容设置在电路板主体内部的功能。因此,需要对现有的电路板做出相应的改进,相信通过这样的改进后,能---的满足使用者的需求。
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