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车载逆变器产品的主要元器件参数及代换

irfz48n为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。irfz48n的主要参数指标为：vdss=55v，id=66a，ptot=140w，tj=175℃，rds(on)≤16mω 。

当irfz48n损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n沟道增强型mos开关管irf3205进行代换。irf3205的主要参数为vdss=55v，id=110a，rds(on)≤8mω。其市场售价仅为每只3元左右。

irf740a为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。

irf740a的主要参数指标为：vdss=400v ，id=10a，ptot=120w ，rds(on)≤550mω。

当irf740a损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n 沟道增强型mos 开关管irf740b、irf740或irf730进行代换。irf740、irf740b的主要参数与irf740a完全相同。irf730的主要参数为vdss=400v，id=5.5a，rds(on)≤1ω。其中irf730的参数虽然与irf740系列的相比略差，但对于150w以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。

单晶硅与多晶硅的区别　　

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，库存太阳能板电池板多少钱，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。---集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目

前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。