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  mcu软件设计

2.1 主要功能的实现方案

（1）蓄电池充电控制充电mosfet的栅极由mcu的一个i／o口控制。当蓄电池电压低于直充阈值时，mcu跳过pca，直接输出一个高电平信号打开充电mosfet，使太阳板不间断地向蓄电池充电。蓄电池电压超过后，mcu接人pca，改为pwm方式充电。充电的脉宽随着蓄电池电压的升高而逐渐变窄。达到充电上限后，再次跳过pca，输出一个低电平，完全关断充电。

（2）直流输出控制直流输出mosfet也由mcu的一个i／o口控制。蓄电池的电压低于欠压阈值时，mcu输出关断信号，停止放电。高于恢复阈值时，输出开启信号。

当我们细看高电压(600v)速沟道igbt的开关性能，哈尔滨测试---组件，便会知道这些器件为20khz的开关频率进行了优化。这使设计在相关的频率下能够保持的开关损耗，包括集电极到发射极的饱和电压vce(on)及总开关能量ets。结果，总通态和开关功率损耗便可以维持在低的水平。根据这一点，我们选择了速沟道igbt，测试---组件价格，例如，irgb4062dpbf作为高侧功率器件。这种速构道igbt与一个速软恢复二极管采用协同封装，进一步---低开关耗损。

此外，这些igbt不用要求短路额定值，因为当逆变器的输出出现短路时，输出电感器l1和l2会---电流di/dt，从而给予控制器足够的时间做出适当的回应。还有，与同样尺寸的非短路额定igbt比较，测试---组件回收采购收购，短路额定igbt提供更高的vce(on)和ets。由于拥有更高的vce(on)和ets，短路额定igbt会带来更高的功率损耗，使功率逆变器的效率降低。