隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
4. 形成“隐裂”的原因
外力:电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力,当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温:电池片在低温下没有经过预热,然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象,如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料:原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
6、烧结
烧结是把印刷到电池片表面的电极在高温下烧结,使电极和硅片本身形成欧姆接触,提高电池片的开路电压和填充因子,使电极的接触具有电阻特性以达到高转效率,烧结过程中也可利于pecvd工艺所引入-h向体内扩散,可以起到---的体钝化作用。
烧结方式:高温快速烧结,加热方式:红外线加热
烧结是集扩散、流动和物理化学反应综合作用的一个过程,正面ag穿过sinh扩散进硅但不可到达p-n面,背面ag、al扩散进硅,由于需要形成合金需要到一定的温度,ag、al与si形成合金的稳定又不同,就需要设定不同的温度来分别实现合金化。
五、等离子刻蚀
硅片:硅单质材料的片状结构,厚度比较薄,主要有圆形和方形两种结构,有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料,一般用作半导体集成电路的衬底,也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料,一般用于太阳能光伏发电,或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料,ic级别的纯度要求达到9n以上(99.9999999%),区熔单晶硅片甚至达到11n(99.999999999%)以上。通常通过直拉法(cz)和区熔法(fz)长晶得到,其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料,占据半导体材料市场的90%以上,是信息技术和集成电路的基础材料。
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