用于升压级的开关和二极管
图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外,专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术,针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。
升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量,来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言,mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外,还必须始终考虑体二极管的影响:在升压级的情况下并没有什么问题,因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算,对于给定的mosfet系列,这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时,mosfet的传导损耗会---增加,因此,即使额定rds(on) 相当,回收抵债返修电池片价格,1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。
在电力电子技术的应用以及各种电源系统中,开关电源技术均处于---,逆变器就是一种dc/ac的转换器、它利用晶闸管电路,将电池组等直流电源转化成输出电压和频率稳定的交流电源。按照直流电源的性质来分类,逆变器可以分为电压型逆变器和电流型逆变器;按照输出端相数来分,逆变器可分为单相逆变器和三相逆变器,其中单相逆变器按结构可分为半桥型逆变器和全型逆变器。
随着现代工业的快速发展,对电源容量的需求也越来越大。尤其在工厂商业用电系统、舰船集中供电系统、蓄电池后备供电系统以及电力系统等,大功率逆变器拥有着---的应用前景。但是,在逆变器输出电压不变起的情况下,需要的输出功率越大,逆变器流过的电流也就越大,这对功率器件的生产已经逆变器的控制都形成挑战。
假如总体目标就是为了峰值功率---电路的特性,开发出可在不一样自然条件下自始至终工作在i-v曲线较大功率点里的太阳能发电逆变器,在电路的设计和开发中就一定要考虑峰值功率---范围和---工作频率。峰值功率---范畴是i-v曲线较大峰值功率点附近的一段区间,那也是逆变器峰值功率---电源电路算法的工作中区间,---工作频率乃是工作中区间内曲线的晃动速度,如下图2所显示。为---逆变器在控制模块i-v曲线变化时自始至终能找到较大峰值功率点,它必须具有充足宽---范围和充足强的---工作频率。为设计方案有效性,应该根据重现太阳能光伏板的i-v曲线来验证在不同曲线下逆变器能不能稳定地工作在峰值功率点附近。
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