2、扩散
扩散是为电池片制造---,是为电池片制造p-n结,pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源,液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。
pocl3在大于600℃的条件下分解生成五---(pcl5)和五氧化二磷(p2o5),pcl5对硅片表面有腐蚀作用,当有氧气o2存在时,pcl5会分解成p2o5且释放出---,所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅和磷原子,生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(psg),磷原子向硅中扩散,制得n型半导体。
多晶硅应用价值
冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%,但半导体工业用硅还必须进行高度提纯(电子级多晶硅纯度要求11n,太阳能电池级只要求6n)。而在提纯过程中,有一项氢硅还原法(西门子法)”的关键技术我国还没有掌握,由于没有这项技术,我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通---气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常---。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅,以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国,而这些把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料,以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。
晶体硅为钢灰色,无定形硅为黑色。---、无味。d2.33;熔点1410℃;平均热容( 16~100℃)0. 1774cal/(g -℃)。晶体硅属于原子晶体,硬而有光泽,是典型的半导体。在常温下,很难与其他物质发生反应,不溶于水、---和---,溶于碱液。在高温下能与氧气等多种元素化合。具有硬度高、不吸水、耐热、耐酸、耐磨和耐老化等特点。硅在自然界分布极广,地壳中约含27.6%.主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体sih4和nh3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石,它是先通过拉单晶制作成硅棒,然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,
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