2、扩散
扩散是为电池片制造---,是为电池片制造p-n结,pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源,液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。
pocl3在大于600℃的条件下分解生成五---(pcl5)和五氧化二磷(p2o5),pcl5对硅片表面有腐蚀作用,当有氧气o2存在时,pcl5会分解成p2o5且释放出---,所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应,废钽丝回收价格2021,生成二氧化硅和磷原子,生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(psg),磷原子向硅中扩散,制得n型半导体。
四、去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物---硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,pocl3与o2反应生成p2o5淀积在硅片表面。p2o5与si反应又生成sio2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的sio2,称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。能够溶解二氧化硅是因为与二氧化硅反应生成易挥发的四---硅气体。若过量,反应生成的四---硅会进一步与反应生成可溶性的络和物---硅酸。
4、pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
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