多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60---器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗eoff非常高，达10mj ，回收库存电池片硅片多少钱，故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) 为100毫欧。因此在11a时，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于这种igbt基于较旧的击穿技术，vce(sat) 随温度的变化不大。因此，这种igbt可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。fgh30n60--- igbt在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。igbt在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。对于1200v的拓扑及全桥结构，回收客退实验电池片硅片多少钱，前面提到的fgl40n120and是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，stealth ii、hyperfast? ii 二极管及碳硅二极管是---的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，回收测试---电池片硅片多少钱，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。
针对相关标准的测试。
为达到这些测试目的，必须创造出一种可预期、可重复的太阳光照条件，并控制其环境温度，以得到固定的i-v输出曲线。自然界的光照和其他环境因素难于控制，湖南电池片硅片多少钱，因此直接使用太阳能电池板对逆变器的性能进行测试是不可行的。
为了能够太阳能电池板在特定环境条件下的输出(---是对于小功率逆变器，精度的要求往往更高)，很多厂家推出了的太阳能方阵模拟器，用于模拟各种环境下太阳能电池板的输出特性，地复现出不同环境条件下的i-v输出特性曲线。i-v曲线的数据多来自于用户对太阳能电池板输出的实际测量结果。为了简化操作，目前国际上通用的曲线设置方式是：通过i-v曲线上的四个特征值，即voc(开路电压值)、isc(短路电流值)、vmp(大功率点电压值)、imp(大功率点电流值)来拟合得到完整的i-v曲线。
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