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多晶硅的技术特征　　

⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。

⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。

多晶硅生产流程　　

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应sio2+c***si+co2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---（hcl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（sihcl3）。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（н2，нс1，siнс13，sic14，si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝siнс13，sic14，而气态н2，нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13，sic14，净化（多级精馏）。

（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同н2，нс1，siнс13，sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，层压件太阳能板电池板价格，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。