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多晶硅生产流程　　

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应sio2+c***si+co2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---（hcl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（sihcl3）。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（н2，нс1，siнс13，sic14，si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝siнс13，sic14，而气态н2，нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13，sic14，净化（多级精馏）。

（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同н2，нс1，siнс13，sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。

当电路工作异常，mos功率管vt2或vt4的温升大幅提高，热敏电阻rt的阻值超过约4kω时，ic1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平，ic1的3脚也随即翻转为高电平状态，致使芯片内部的pwm 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转，输出级三极管vt1和三极管vt2均转为截止状态。当ic1内的两只功率输出管截止时，图1电路中的vt1、vt3将因基---低电平而饱和导通，vt1、vt3导通后，功率管vt2和vt4将因栅极无正偏压而处于截止状态，逆变电源电路停止工作。

ic1的1脚---电路的vdz1、r5、vd1、c2、r6构成12v输入电源过压保护电路，稳压管vdz1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值，vd1、c2、r6还组成保护状态维持电路，只要发生瞬间的输入电源过压现象，保护电路就会启动并维持一段时间，以---后级功率输出管的安全。考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小，通常将稳压管vdz1的稳压值选为15v或16v较为合适。