防城港光伏组件--- 回收承诺守信「多图」

芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。