用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60---器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗eoff非常高,达10mj ,故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) 为100毫欧。因此在11a时,具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于这种igbt基于较旧的击穿技术,vce(sat) 随温度的变化不大。因此,这种igbt可降低输出桥中的总体损耗,从而提高逆变器的总体效率。fgh30n60--- igbt在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。igbt在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。对于1200v的拓扑及全桥结构,前面提到的fgl40n120and是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时,stealth ii、hyperfast? ii 二极管及碳硅二极管是---的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率,目前,欧洲逆变器效率普遍较高,可达到97.2%。
多组串逆变
多组串逆变是取了集中逆变和组串逆变的优点,避免了其缺点,可应用于几千瓦的光伏发电站。在多组串逆变器中,包含了不同的单独的功率峰值---和直流到直流的转换器,这些直流通过一个普通的直流到交流的逆变器转换成交流电,并网到电网上。光伏组串的不同额定值(如:不同的额定功率、每组串不同的组件数、组件的不同的生产厂家等等)、不同的尺寸或不同技术的光伏组件、不同方向的组串(如:东、南和西)、不同的倾角或遮影,都可以被连在一个共同的逆变器上,同时每一组串都工作在它们各自的大功率峰值上。同时,直流电缆的长度减少、将组串间的遮影影响和由于组串间的差异而引起的损失减到小。
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单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是上纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。---集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。目
前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
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