用于升压级的开关和二极管
在旧有npt平面技术?的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件fgl40n120and，具有43uj/a的eoff? ，比较采用更---技术器件的eoff为80uj/a，但要获得这种性能却非常困难。fgl40n120and器件的缺点在于饱和压降vce(sat) (3.0v 相对于125oc的 2.1v) 较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已---弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，在启动期间或瞬变情况下，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于igbt本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管来------的工作。对升压二极管，需要stealth? 或碳硅二极管这样的快速恢复二极管。碳硅二极管具有很低的正向电压和损耗。不过目前它们的价格都---昂。在选择升压二极管时，必须考虑到反向恢复电流 (或碳硅二极管的结电容) 对升压开关的影响，因为这会导致额外的损耗。在这里，新推出的stealth ii 二极管 ffp08s60s可以提供更高的性能。当vdd=390v、 id=8a、di/dt=200a/us，且外壳温度为100oc时，计算得出的开关损耗低于ffp08s60s的参数205mj。而采用isl9r860p2 stealth 二极管，这个值则达225mj。故此举也提高了逆变器在高开关频率下的效率。
逆变器是为500w的输出而设计，测量所得的交流输出功率是480.1w，功率损耗则是14.4w。在60hz的频率下，交流输出电压有117.8v，输出电流是4.074a。这个配置获得97.09%的效率。利用相似的配置，将逆变器改为针对200w输出，然后再重新测量转换效率。结果显示，在这个负载下，交流功率为214w，功率耗损有6.0w，而在1.721a的输出电流下，60hz输出电压为124.6v。在这个功率额定值下，所得的转换效率为97.28%。即使在较低一端的输出功率(100w)，我们也看到相似的效率性能。
简单来说，通过把适当的高电压驱动器与优化了的低侧和高侧高电压igbt结合，我们在这里提到的太阳能逆变器设计，能够在100～500w的功率输出范围内持续提供高转换效率性能。由于转换效率非常高，所以有关的低功率损耗并不会带来任何温度管理挑战。因此，贵州回收，在高500w的输出功率下，高侧igbt (irgb4062dpbf) 的结温大约80℃，比高的特定结温175℃要低于一半。同样地，银膏银粉回收厂家，在一样的功率水平下，氧化银银电极回收公司，低侧igbt (irg4bc20sd-pbf)显示83℃的结温。同时，当输出功率达到200w左右，温度还会变得---。
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
irfz48n为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。irfz48n的主要参数指标为：vdss=55v，氧化银银电极回收厂家，id=66a，ptot=140w，tj=175℃，rds(on)≤16mω 。
当irfz48n损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n沟道增强型mos开关管irf3205进行代换。irf3205的主要参数为vdss=55v，id=110a，rds(on)≤8mω。其市场售价仅为每只3元左右。
irf740a为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。
irf740a的主要参数指标为：vdss=400v ，id=10a，ptot=120w ，rds(on)≤550mω。
当irf740a损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n 沟道增强型mos 开关管irf740b、irf740或irf730进行代换。irf740、irf740b的主要参数与irf740a完全相同。irf730的主要参数为vdss=400v，id=5.5a，rds(on)≤1ω。其中irf730的参数虽然与irf740系列的相比略差，但对于150w以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。
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