五、等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，库存电池片硅片多少钱，ic级别的纯度要求达到9n以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11n（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（cz）和区熔法（fz）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
现价段，的多晶硅厂家都是直接购进---氢硅，有合成---氢硅工序的很少。因为---氢硅的合成是---和硅粉在高压高温下反应生成，类似于合成氨。所以一方面危险性高，另一方面硅粉分离比较成问题，还有一方面投资也大。本来一个年产300吨多晶硅规模的不要合成---氢硅工序就要投资一亿多，所以一般企业都不上。
多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）***工业硅（酸洗）***硅粉（加hcl）***sihcl3（经过粗馏精馏）***高纯sihcl3（和h2反应cvd工艺）***高纯多晶硅。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
4. 形成“隐裂”的原因
外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
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