3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，多晶硅发电板光伏板厂家回收，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
现价段，的多晶硅厂家都是直接购进---氢硅，有合成---氢硅工序的很少。因为---氢硅的合成是---和硅粉在高压高温下反应生成，类似于合成氨。所以一方面危险性高，另一方面硅粉分离比较成问题，还有一方面投资也大。本来一个年产300吨多晶硅规模的不要合成---氢硅工序就要投资一亿多，所以一般企业都不上。
多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）***工业硅（酸洗）***硅粉（加hcl）***sihcl3（经过粗馏精馏）***高纯sihcl3（和h2反应cvd工艺）***高纯多晶硅。
什么是电路板？
用于支撑蚀刻铜轨道和导电特征的常见的非导电材料电路板是由编织玻璃纤维布和环氧树脂制成的复合材料。令人惊讶的是，这种材料通常是灰白色，而不是绿色。稍后将绿色（或任何其他颜色）添加为电路板制造过程中的步骤之一。这种增加的颜色层称为焊锡标记，用于保护铜的顶层和底层，否则将暴露。
虽然由玻璃纤维和环氧树脂制成的普通基板---满足许多电子设备的需要，它可能不适用于其他人，因为并非所有设备都是为相同的目的，应用或环境而制造的。许多电子器件要求pcb基板满足某些特性，因此需要更---或特殊类型的基板。这些要求可以包括一定程度的耐温性，抗冲击性和脆性，仅举几例，但属性和资格列表可以是广泛的。单击链接以了解有关可用于电路板制造的不同类型材料的更多信息。
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