六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体sih4和nh3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，序数适中，
多晶硅生产的原料是---氢硅和氢气，按照一定的比例计入还原炉内进行热分解和还原反应产生多晶硅棒。
---氢硅是用---和工业硅粉在合成炉内反应生成，---是用氢气和---在---合成炉内燃烧生成，---是---工业盐水通过通电反应生成，氢气即可以用---工业盐水通过通电反应生成。也可以用水通电电解生产。工业硅粉是用石英矿与碳在通电的情况下还原反应生成工业硅块，经粉碎变成工业硅粉。
化电路板的目的就在于提供一种化电路板，能完全解决上述电路板存在的问题。
为了实现上述目的，化电路板采用的技术方案是这样的：化电路板的化电路板，包括电路板主体、电子元件及连接部。
作为优选，所述加强板底部设有粘接层。
作为优选，所述电路板主体、电子元件、连接部、加强板、金属薄片及金属点表面均设有化层。
化电路板包括电路板主体、电子元件及连接部，电路板主体i与连接部相连，连接部表面设有金属薄片，金属薄片上设有金属点，电路板主体i背部设有加强板，拆卸组件回收电话，电路板主体i内部设有铜锡层，所述加强板底部设有粘接层6，所述电路板主体i、电子元件、连接部、加强板、金属薄片及金属点表面均设有化层，使其具有---的化性能。
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