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用于桥接和开关和二极管

另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60---器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗eoff非常高，达10mj ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) 为100毫欧。因此在11a时，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于这种igbt基于较旧的击穿技术，vce(sat) 随温度的变化不大。因此，这种igbt可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。fgh30n60--- igbt在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。igbt在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。对于1200v的拓扑及全桥结构，前面提到的fgl40n120and是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，stealth ii、hyperfast? ii 二极管及碳硅二极管是---的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。

用于升压级的开关和二极管

图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外，专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。

升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言，mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算，对于给定的mosfet系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时，mosfet的传导损耗会---增加，因此，即使额定rds(on) 相当，1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。